Многокристальные модули памяти

Многокристальные модули памяти Характеристики:
     
  • Конструкция модуля - маломассогабаритная в трехмерном гибком исполнении
  • Суммарное время задержки сигнала в коммутации - не более 0,3 нс
  • Количество уровней кристаллов в конструкции МКМ - не менее 5
  • Плотность упаковки кристаллов в трехмерном модуле (кристалл 10х10 мм) - не менее 8 шт/см3
  • Удельное (погонное) сопротивление проводников, изготовленных по бессвинцовой технологии - не более 0,01 Ом/см
  • Время выборки адреса - 70 нс (макс.)
  • Напряжение питания - +5,0 ± 0,5 В


Назначение продукции (изделий, технологий)

Высокоинтегрированное СОЗУ информационной ёмкостью 4Мбит – 16 Мбит

Перечень объектов интеллектуальной собственности на разработанную продукцию (изделие, технологию), правообладатели (патенты, свидетельства)

  • Патент РФ на изобретение № 2299497, опубликовано: бюл. Изобретений №14 от 20.05.2007 Авторы: Блинов Г.А., Грушевский А.М., Егоров К.В. Участники: Жуков П.А., Чугунов Е.Ю., Долговых Ю. Е. Титов А.Ю., Вертянов Д.В.


  • Область применения, кто является потребителем продукции

    Бортовая аппаратура, ЗАО «НИИМП-Т», ФГУП НИИТП. г. Москва

    Преимущества продукции по отношению к существующим на рынке отечественным и зарубежным аналогам

    Увеличение памяти СОЗУ не менее чем в 4 раза по сравнению с исходными кристаллами. Повышение надёжности за счёт уменьшения количества контактных соединений в 2 раза при создании вертикальных электросвязей.



    Назад в раздел