Ученый из Великобритании провел научный семинар для представителей Института НМСТ МИЭТ 21.03.2018

Ученый из Великобритании провел научный семинар для представителей Института НМСТ МИЭТ

<p>19 марта в Институте нано- и микросистемной техники МИЭТ состоялся научный семинар с главным научным сотрудником британского университета Уорик (The University of Warwick) Максимом Мироновым. В качестве модератора встречи выступил аспирант МИЭТа Сергей Федотов, который познакомился с ученым из Великобритании на 10-й Международной конференции, посвященной кремниевой эпитаксии и гетероструктурам (ICSI-10), в Ковентри в мае прошлого года. Послушать доклад на тему «Возможности эпитаксиального роста кремниевых соединений» пришли сотрудники института НМСТ, аспиранты и магистранты.

<p>В ходе выступления Максим Миронов рассказал о своем более чем 15-летнем опыте в получении тонких пленок IV группы (Si, Ge, С, Si1-xGex, Si1-xCx, Ge1-xSnx, Ge1-x-ySnxSiy, 3C-SiC, 4H -SiC, 6H-SiC и т. д.) и полупроводников III-V (InSb, GaAs, GaN и др.). С особым интересом он исследует эпитаксию тонких пленок полупроводников и низкоразмерных структур для создания новых эпитаксиальных материалов в электронных, фотонных, термоэлектрических, спинтронных, фотовольтаических устройствах и сенсорах. Сотрудники института НМСТ также поделились своими результатами исследования новых технологических режимов газофазной гетероэпитаксии, которые позволили получить тонкие слои кремния на сапфире, превосходящие аналогичные слои за счет улучшенных структурных и электрофизических характеристик. Новые охраноспособные разработки позволили оптимизировать технологию изготовления КНС толщиной 300 и 600 нм.

<p>М. Миронову были заданы вопросы о его опыте международного сотрудничества, публикациях в высокорейтинговых журналах, правоотношениях в сфере интеллектуальной деятельности и многом другом. В завершение мероприятия директор института НМСТ, профессор С.П. Тимошенков выразил благодарность английскому коллеге, обе стороны отметили пользу научного сотрудничества между вузами и актуальность темы гетероэпитаксиальных структур для МЭМС/НЭМС, используемых в различных отраслях промышленности.